Nitridation of GaAs Surface by Low Energy Ion Implantation with In Situ Control of Chemical Composition

Mã QR

Nitridation of GaAs Surface by Low Energy Ion Implantation with In Situ Control of Chemical Composition

None

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Mikoushkin, Valery
Định dạng:	Điện tử Chương của sách
Ngôn ngữ:	Tiếng Anh
Được phát hành:	IntechOpen 2012
Những chủ đề:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Truy cập trực tuyến:	https://www.intechopen.com/chapters/37191
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự

Investigation of surface potential of GaAs surface by means of acoustoelectric effects
Bằng: T. PUSTELNY, et al.
Được phát hành: (2014-05-01)

Surface mechanics of GaAsP/GaAs epilayers for non-linear optical devices
Bằng: Samuel M. Linser, et al.
Được phát hành: (2025-07-01)

Modern GaAs processing methods /
Bằng: Williams, Ralph E.
Được phát hành: (1990)

Numerical Analysis of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT
Bằng: A. V. Sapozhnikov, et al.
Được phát hành: (2025-07-01)

Получение микропористых слоев GaAs методом химического травления на подложках р-GaAs и их фотолюминесценция
Bằng: G. A. Paschenko, et al.
Được phát hành: (2012-02-01)

Principles and analysis of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors /
Bằng: Liou, Juin J.
Được phát hành: (1996)

Surface acoustic wave spectroscopy in investigation of electrical properties of the near-surface region in GaAs crystals
Bằng: T. PUSTELNY
Được phát hành: (2014-01-01)

Radiation Resistance of Epitaxial Structures Based on GaAs
Bằng: E. N. Vigdorovich
Được phát hành: (2019-06-01)

Study of optical properties for Ge - GaAs Heterojunction
Bằng: Baghdad Science Journal
Được phát hành: (2011-06-01)

Terahertz Modulation of Even-order Polarization in GaAs
Bằng: Jianhua Sang, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Determine the Lower-State Energy of (GaMn)As/GaAs Quantum Well using Localization Landscape Method
Bằng: Mubarak H. Oglah, et al.
Được phát hành: (2020-12-01)

InAs Quantum Dots in Symmetric InGaAs/GaAs Quantum Wells
Bằng: Torchynska, Tetyana V.
Được phát hành: (2012)

ENERGY PARAMETERS OF THE INDUSTRIAL INSTALLATION FOR ION NITRIDING
Bằng: M. N. Bosjakov, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
Bằng: A. A. Maldzhy, et al.
Được phát hành: (2006-12-01)

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
Bằng: S. S. Kovachov, et al.
Được phát hành: (2024-05-01)

Photopolarization Effect and Photoelectric Phenomena in Layered GaAs Semiconductors
Bằng: Shiau, Yuo-Hsien
Được phát hành: (2011)

Novel silicon and GaAs sensors for compact sampling calorimeters
Bằng: H. Abramowicz, et al.
Được phát hành: (2025-06-01)

The Energy Spectra and Heat Capacity of GaAs Gaussian Quantum Dot in an External Magnetic Field
Bằng: Mohammad Elsaid, et al.
Được phát hành: (2021-06-01)

THERMAL MODELLING OF TERAHERTZ QUANTUM-CASCADE LASER BASED ON NANOHETEROSTRUCTURES GaAs/AlGaAs
Bằng: I. A. Glinskiy, et al.
Được phát hành: (2016-06-01)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
Bằng: Oleg V. Devitsky, et al.
Được phát hành: (2022-05-01)

Dilute Nitride GaAsN and InGaAsN Layers Grown by Low-Temperature Liquid-Phase Epitaxy
Bằng: Milanova, Malina, et al.
Được phát hành: (2011)

Electron Transport Properties of Gate-Defined GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Dot
Bằng: Wu, Dong Ho, et al.
Được phát hành: (2012)

Comparison of Signal Detection of GaAsP and GaAs PMTs for Multiphoton Microscopy at the 1700-nm window
Bằng: Yuxin Wang, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Wafer-scale correlated morphology and optoelectronic properties in GaAs/AlGaAs core–shell nanowires
Bằng: Ishika Das, et al.
Được phát hành: (2025-06-01)

Characterization and Computational Modeling of Flexible Freestanding GaAs‐Based Solar Cells
Bằng: Athil S. Al‐Ezzi, et al.
Được phát hành: (2025-07-01)

Absolute Electroluminescence Imaging Diagnosis of GaAs Thin-Film Solar Cells
Bằng: XiaoBo Hu, et al.
Được phát hành: (2017-01-01)

19~21 GHz GaAs high linearity power amplifier MMIC
Bằng: Liu Xiaoyu, et al.
Được phát hành: (2025-04-01)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
Bằng: D. A. Yatsyna, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

ETCHING MECHANISM OF CCl<sub>4</sub>-DOPED GaAs GROWN BY MOCVD
Bằng: Т. А. Bagaev, et al.
Được phát hành: (2013-08-01)

On spurious bulk wave exicitation in SAW grating reflectorson GaAs (001) (110)
Bằng: E. DANICKI, et al.
Được phát hành: (2014-01-01)

Effect of ion energy and fluence on the electrical resistivity of silver implanted copper surface
Bằng: Bharti Malvi, et al.
Được phát hành: (2025-09-01)

Electro-Optical Modulation of the Nonlinear Optical Response in a GaAs/AlGaAs Symmetric Multiple Quantum Well System
Bằng: Carlos Alberto Dagua-Conda, et al.
Được phát hành: (2025-06-01)

GaAs PHEMT PERFORMANCE INCREASE USING DELTA-DOPING IN THE FORM OF NANOWIRES OF TIN ATOMS
Bằng: A. E. Yachmenev, et al.
Được phát hành: (2017-04-01)

The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs
Bằng: I. Yu. Lovshenko, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Estimation of diffusion behaviour of metals used for the creation of multilayered contacts to heterostructures based on GaAs
Bằng: V. V. Arbenina, et al.
Được phát hành: (2014-10-01)

Monolithically Integrated GaAs Nanoislands on CMOS-Compatible Si Nanotips Using GS-MBE
Bằng: Adriana Rodrigues, et al.
Được phát hành: (2025-07-01)

Single layer graphene protective layer on GaAs photocathodes for spin-polarized electron source
Bằng: Jyoti Biswas, et al.
Được phát hành: (2025-06-01)

Photoelastic Refractive Index Changes in GaAs Investigated by Finite Element Method (FEM) Simulations
Bằng: Daniel T. Cassidy
Được phát hành: (2025-05-01)

Tunneling Atomic Force Microscopy of Self-Assembled In(Ga)As/GaAs Quantum Dots and Rings and of GeSi/Si(001) Nanoislands
Bằng: Filatov, Dmitry, et al.
Được phát hành: (2012)

Solar Blind Photodetectors Enabled by Nanotextured β-Ga2O3 Films Grown via Oxidation of GaAs Substrates
Bằng: Dewyani Patil-Chaudhari, et al.
Được phát hành: (2017-01-01)