The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si

None

Tallennettuna:

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Nussupov, Kair Kh., Beisenkhanov, Nurzhan B.
Aineistotyyppi:	Elektroninen Kirjan osa
Kieli:	englanti
Julkaistu:	IntechOpen 2011
Aiheet:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Linkit:	https://www.intechopen.com/chapters/21140
Tagit:	Lisää tagi Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Internet