The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si
None
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , |
|---|---|
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
IntechOpen
2011
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://www.intechopen.com/chapters/21140 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!