The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si
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| Auteurs principaux: | , |
|---|---|
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
IntechOpen
2011
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| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://www.intechopen.com/chapters/21140 |
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