Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
Regularities of the reflected signal intensity changing in time, recorded by the detector of the laser interferometer with the operating frequency of 670 nm during the inductively coupled plasma reactive ion etching in a Cl2/N2/O2 atmosphere of GaN, p-GaN and AlGaN in AlGaN/GaN and p-GaN/AlGaN/GaN h...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Nga |
| Được phát hành: |
Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics»
2022-12-01
|
| Loạt: | Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3495 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|