Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas

Regularities of the reflected signal intensity changing in time, recorded by the detector of the laser interferometer with the operating frequency of 670 nm during the inductively coupled plasma reactive ion etching in a Cl2/N2/O2 atmosphere of GaN, p-GaN and AlGaN in AlGaN/GaN and p-GaN/AlGaN/GaN h...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: A. D. Yunik, A. H. Shydlouski
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:Tiếng Nga
Được phát hành: Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics» 2022-12-01
Loạt:Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3495
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!