Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs

The synthesis and characterization of heterostructure por-Ga2O3/GaAs represent a crucial advancement in nanomaterials, particularly in optoelectronic applications. Employing a two-stage electrochemical etching methodology, this research has elucidated the precise conditions required to fabricate su...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: S. S. Kovachov, I. T. Bohdanov, D. S. Drozhcha, K. M. Tikhovod, V. V. Bondarenko, I. G. Kosogov, Ya. O. Suchikova
Формат: Статья
Язык:английский
Опубликовано: Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine 2024-05-01
Серии:Хімія, фізика та технологія поверхні
Предметы:
Ga2O3
GaAs
electrochemical etching
oxidation
pores
heterostructures
Online-ссылка:https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/722
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы