System-Technology Co-Optimization of Multimetal Gated AlGaN/GaN HEMT for Improved RF Linearity
In this work, a system-technology co-optimization (STCO) of the AlGaN/GaN multimetal gated (MMG) HEMT architecture for third-order transconductance (gm3) engineering and linearity improvement in the presence of fermi-level pinning (FLP) is reported. Through technology computer-aided design (TCAD), c...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artykuł |
| Język: | angielski |
| Wydane: |
IEEE
2025-01-01
|
| Seria: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10767716/ |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|