System-Technology Co-Optimization of Multimetal Gated AlGaN/GaN HEMT for Improved RF Linearity

System-Technology Co-Optimization of Multimetal Gated AlGaN/GaN HEMT for Improved RF Linearity

In this work, a system-technology co-optimization (STCO) of the AlGaN/GaN multimetal gated (MMG) HEMT architecture for third-order transconductance (gm3) engineering and linearity improvement in the presence of fermi-level pinning (FLP) is reported. Through technology computer-aided design (TCAD), c...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Toiyob Hossain, Tanvir Hossain, A. K. M. Anindya Alam, Bejoy Sikder, Qingyun Xie, Mengyang Yuan, Eiji Yagyu, Koon Hoo Teo, Tomas Palacios, Nadim Chowdhury
Format: Artykuł
Język:angielski
Wydane: IEEE 2025-01-01
Seria:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Hasła przedmiotowe:
5G
linearity
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
multi-metal gate (MMG)
fermi level pinning
Dostęp online:https://ieeexplore.ieee.org/document/10767716/
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
Login Dla informacji o zamówieniu / rezerwacji

Internet

https://ieeexplore.ieee.org/document/10767716/

Podobne zapisy