Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
У роботі одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії....
Saved in:
Main Authors: | , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2018-02-01
|
Series: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
Subjects: | |
Online Access: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/453 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|