Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження

У роботі одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: A. F. Dyadenchuk, V. V. Kidalov
Format: Article
Language:English
Published: Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine 2018-02-01
Series:Хімія, фізика та технологія поверхні
Subjects:
Online Access:https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/453
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!