Investigation on fabrication of silicon nanopores using an electrochemical passivation etch-stop strategy
Abstract The three-step wet etching (TSWE) method has been proven to be a promising technique for fabricating silicon nanopores. Despite its potential, one of the bottlenecks of this method is the precise control of the silicon etching and etch-stop, which results in obtaining a well-defined nanopor...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2025-06-01
|
| Loạt: | Microsystems & Nanoengineering |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1038/s41378-025-00973-9 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|