High Quality InxGa1-xAs (x: 0.08 – 0.13) Crystal Growth for Substrates of λ= 1.3 μm Laser Diodes by the Travelling Liquidus-Zone Method
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| Autores principales: | , |
|---|---|
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
IntechOpen
2012
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.intechopen.com/chapters/26206 |
| Etiquetas: |
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