High Quality InxGa1-xAs (x: 0.08 – 0.13) Crystal Growth for Substrates of λ= 1.3 μm Laser Diodes by the Travelling Liquidus-Zone Method
None
Salvato in:
| Autori principali: | , |
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| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| Lingua: | inglese |
| Pubblicazione: |
IntechOpen
2012
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| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://www.intechopen.com/chapters/26206 |
| Tags: |
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