The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si
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Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
IntechOpen
2011
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.intechopen.com/chapters/21140 |
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| Zusammenfassung: | None |
|---|---|
| ISBN: | 978-953-307-968-4 |
| DOI: | 10.5772/22256 |