Effect of Native Oxide on the Electric Field-induced Characteristics of Device-quality Silicon at Room Temperature

None

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Khlyap, Halyna, Laptev, Viktor, Pankiv, Luydmila, Tsmots, Volodymyr
Format: Elektroniczne Rozdział
Język:angielski
Wydane: IntechOpen 2011
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://www.intechopen.com/chapters/17723
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!