Growth Rate Enhancement of Silicon-Carbide Oxidation in Thin Oxide Regime

None

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteurs principaux: Hijikata, Yasuto, Yaguchi, Hiroyuki, Yoshida, Sadafumi
Format: Électronique Chapitre de livre
Langue:anglais
Publié: IntechOpen 2011
Sujets:
Accès en ligne:https://www.intechopen.com/chapters/15086
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!