Growth Rate Enhancement of Silicon-Carbide Oxidation in Thin Oxide Regime

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Hijikata, Yasuto, Yaguchi, Hiroyuki, Yoshida, Sadafumi
Formato: Electrónico Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2011
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/15086
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