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Electronic properties of doped semiconductors /

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Détails bibliographiques
Auteur principal: Shklovski i, B. I. (Boris Isaakovich), 1944-
Autres auteurs: Efros, A. L. (Alekse i L vovich), 1938-
Format: Livre
Langue:anglais
Publié: Berlin : Springer-Verlag, 1984.
Collection:Springer series in solid-state sciences ; 45
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MARC

LEADER 00000nam a2200000u 4500
001 00819212
003 PWmBRO
005 20240602101749.0
008 840326s1984 wb a b 00110 eng
010 |a  88900541  
020 |a 0387129952 (U.S.) 
041 1 |a engrus 
050 0 |a QC611.8.D66  |b S5513 1984 
082 0 |a 537.6/22�19 
090 |a 537.6/22/S558e 
100 1 0 |a Shklovski i, B. I.  |q (Boris Isaakovich),  |d 1944- 
240 1 0 |a  Elektronnye svo istva legirovannykh poluprovodnikov.  |l English 
245 1 0 |a Electronic properties of doped semiconductors /  |c B.I. Shklovskii and A.L. Efros. 
260 0 |a Berlin :  |b Springer-Verlag,  |c 1984. 
300 |a xii, 388 p. :  |b ill. 
440 0 |a Springer series in solid-state sciences ;  |v 45 
500 |a Translation of: Elektronnye svo istva legirovannykh poluprovodnikov. 
650 0 |a Doped semiconductors. 
650 0 |a Electron-electron interactions. 
650 0 |a Hopping conduction. 
650 0 |a Materials at low temperatures. 
700 1 0 |a Efros, A. L.  |q (Alekse i L vovich),  |d 1938- 
942 |2 ddc 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 537_622000000000000_S558E  |7 0  |8 MN  |9 64940  |a ML015  |b ML015  |c ML015  |d 2024-06-02  |l 0  |o 537.622 S558e  |p 068137  |r 2018-03-24 00:00:00  |w 2018-03-24  |y BK 
994 0 1 |a T1001 068 137 
999 |c 47663  |d 47663