Experimental Investigation of Si/SnOx Heterojunction for Its Tunable Optoelectronic Properties
We report growth and characterization of n-Si/p-SnO<sub>x</sub> heterojunction using RF sputtering for deposition of p-type SnO<sub>x</sub> under controlled growth oxygen pressure over n-type silicon (Si) wafer. The heterojunction properties of Si/SnO<...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
IEEE
2024-01-01
|
| Серии: | IEEE Photonics Journal |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10660480/ |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|