Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения
Бинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда. Рассматриваются результаты термической и лазерной кристаллизации тонких пленок InSe, сформ...
Saved in:
| Main Authors: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Herzen State Pedagogical University of Russia
2025-06-01
|
| Series: | Physics of Complex Systems |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/210 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| _version_ | 1839630880262324224 |
|---|---|
| author | Мария Евгеньевна Федянина Виктория Борисовна Пестова Дмитрий Валерьевич Пепеляев Яна Сергеевна Лебедева Алексей Вальтерович Бабич Михаил Петрович Смаев Алексей Валентинович Ромашкин Сергей Иванович Нестеров Сергей Александрович Козюхин |
| author_facet | Мария Евгеньевна Федянина Виктория Борисовна Пестова Дмитрий Валерьевич Пепеляев Яна Сергеевна Лебедева Алексей Вальтерович Бабич Михаил Петрович Смаев Алексей Валентинович Ромашкин Сергей Иванович Нестеров Сергей Александрович Козюхин |
| author_sort | Мария Евгеньевна Федянина |
| collection | DOAJ |
| description |
Бинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда. Рассматриваются результаты термической и лазерной кристаллизации тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения синтезированного материала и покрытых защитным слоем SiO2. Аморфное состояние тонких пленок InSe было подтверждено спектроскопией комбинационного рассеяния света. Процессы термической и лазерной кристаллизации были изучены путем измерения электрического сопротивления и с применением оптической микроскопии соответственно. Были получены диапазоны температур и мощностей лазерного воздействия, необходимые для кристаллизации тонкой пленки InSe. Результаты спектроскопии комбинационного рассеяния показали, что степень кристалличности тонких пленок InSe можно подстраивать, варьируя мощность лазерного излучения.
|
| format | Article |
| id | doaj-art-8f9c9951d2524e3f9520ac9f67f5c711 |
| institution | Matheson Library |
| issn | 2687-153X |
| language | English |
| publishDate | 2025-06-01 |
| publisher | Herzen State Pedagogical University of Russia |
| record_format | Article |
| series | Physics of Complex Systems |
| spelling | doaj-art-8f9c9951d2524e3f9520ac9f67f5c7112025-07-12T20:48:58ZengHerzen State Pedagogical University of RussiaPhysics of Complex Systems2687-153X2025-06-016210.33910/2687-153X-2025-6-2-93-103Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испаренияМария Евгеньевна Федянина0https://orcid.org/0000-0001-9779-2574Виктория Борисовна Пестова1https://orcid.org/0000-0003-0781-0375Дмитрий Валерьевич Пепеляев2https://orcid.org/0000-0002-9281-484XЯна Сергеевна Лебедева3https://orcid.org/0000-0002-8128-1080Алексей Вальтерович Бабич4https://orcid.org/0000-0003-2999-8049Михаил Петрович Смаев5https://orcid.org/0000-0003-1351-5209Алексей Валентинович Ромашкин6https://orcid.org/0000-0002-0101-6122Сергей Иванович Нестеров7https://orcid.org/0000-0003-1166-9087Сергей Александрович Козюхин8https://orcid.org/0000-0002-7405-551XМосковский институт электронной техникиМосковский институт электронной техники; Российский государственный педагогический университет имени А. И. ГерценаМосковский институт электронной техники; Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова РАНМосковский институт электронной техники; Российский государственный педагогический университет имени А. И. ГерценаМосковский институт электронной техникиМосковский институт электронной техники; Физический институт имени Лебедева Российской академии наукМосковский институт электронной техникиФизико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАНМосковский институт электронной техники; Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова РАН Бинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда. Рассматриваются результаты термической и лазерной кристаллизации тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения синтезированного материала и покрытых защитным слоем SiO2. Аморфное состояние тонких пленок InSe было подтверждено спектроскопией комбинационного рассеяния света. Процессы термической и лазерной кристаллизации были изучены путем измерения электрического сопротивления и с применением оптической микроскопии соответственно. Были получены диапазоны температур и мощностей лазерного воздействия, необходимые для кристаллизации тонкой пленки InSe. Результаты спектроскопии комбинационного рассеяния показали, что степень кристалличности тонких пленок InSe можно подстраивать, варьируя мощность лазерного излучения. https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/210халькогенидные материалыбинарные соединенияInSeоптические свойстваструктурные свойствалазерная кристаллизация |
| spellingShingle | Мария Евгеньевна Федянина Виктория Борисовна Пестова Дмитрий Валерьевич Пепеляев Яна Сергеевна Лебедева Алексей Вальтерович Бабич Михаил Петрович Смаев Алексей Валентинович Ромашкин Сергей Иванович Нестеров Сергей Александрович Козюхин Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения Physics of Complex Systems халькогенидные материалы бинарные соединения InSe оптические свойства структурные свойства лазерная кристаллизация |
| title | Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения |
| title_full | Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения |
| title_fullStr | Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения |
| title_full_unstemmed | Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения |
| title_short | Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения |
| title_sort | термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок inse сформированных методом вакуумно термического испарения |
| topic | халькогенидные материалы бинарные соединения InSe оптические свойства структурные свойства лазерная кристаллизация |
| url | https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/210 |
| work_keys_str_mv | AT mariâevgenʹevnafedânina termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT viktoriâborisovnapestova termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT dmitrijvalerʹevičpepelâev termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT ânasergeevnalebedeva termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT aleksejvalʹterovičbabič termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT mihailpetrovičsmaev termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT aleksejvalentinovičromaškin termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT sergejivanovičnesterov termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ AT sergejaleksandrovičkozûhin termičeskaâilazernaâkristallizaciâtonkihplenokinsesformirovannyhmetodomvakuumnotermičeskogoispareniâ |