Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения
Бинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда. Рассматриваются результаты термической и лазерной кристаллизации тонких пленок InSe, сформ...
Saved in:
| Main Authors: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Herzen State Pedagogical University of Russia
2025-06-01
|
| Series: | Physics of Complex Systems |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/210 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | Бинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда. Рассматриваются результаты термической и лазерной кристаллизации тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения синтезированного материала и покрытых защитным слоем SiO2. Аморфное состояние тонких пленок InSe было подтверждено спектроскопией комбинационного рассеяния света. Процессы термической и лазерной кристаллизации были изучены путем измерения электрического сопротивления и с применением оптической микроскопии соответственно. Были получены диапазоны температур и мощностей лазерного воздействия, необходимые для кристаллизации тонкой пленки InSe. Результаты спектроскопии комбинационного рассеяния показали, что степень кристалличности тонких пленок InSe можно подстраивать, варьируя мощность лазерного излучения.
|
|---|---|
| ISSN: | 2687-153X |