Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження - A. F. Dyadenchuk; V. V. Kidalov (Хімія, фізика та технологія поверхні, 2018)
У роботі одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії.