Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors - V. A. Solodukha; U. A. Pilipenko; V. A. Gorushko (Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, 2019)
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов.