Tunneling Atomic Force Microscopy of Self-Assembled In(Ga)As/GaAs Quantum Dots and Rings and of GeSi/Si(001) Nanoislands

QR-Code

Tunneling Atomic Force Microscopy of Self-Assembled In(Ga)As/GaAs Quantum Dots and Rings and of GeSi/Si(001) Nanoislands

None

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Filatov, Dmitry, Shengurov, Vladimir, Nurgazizov, Niyaz, Borodin, Pavel, Bukharaev, Anastas
Format:	Elektronisch Buchkapitel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	IntechOpen 2012
Schlagworte:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Online-Zugang:	https://www.intechopen.com/chapters/37476
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Monolithically Integrated GaAs Nanoislands on CMOS-Compatible Si Nanotips Using GS-MBE
von: Adriana Rodrigues, et al.
Veröffentlicht: (2025-07-01)

Study of optical properties for Ge - GaAs Heterojunction
von: Baghdad Science Journal
Veröffentlicht: (2011-06-01)

InAs Quantum Dots in Symmetric InGaAs/GaAs Quantum Wells
von: Torchynska, Tetyana V.
Veröffentlicht: (2012)

STUDY THE EFFECTS OF CONDITIONS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY ON THE MORPHOLOGY AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURES GE/SI AND GESI/SI
von: Vyacheslav Lapin, et al.
Veröffentlicht: (2022-09-01)

On spurious bulk wave exicitation in SAW grating reflectorson GaAs (001) (110)
von: E. DANICKI, et al.
Veröffentlicht: (2014-01-01)

Electron Transport Properties of Gate-Defined GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Dot
von: Wu, Dong Ho, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Comparison of Signal Detection of GaAsP and GaAs PMTs for Multiphoton Microscopy at the 1700-nm window
von: Yuxin Wang, et al.
Veröffentlicht: (2016-01-01)

Numerical Analysis of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT
von: A. V. Sapozhnikov, et al.
Veröffentlicht: (2025-07-01)

Modern GaAs processing methods /
von: Williams, Ralph E.
Veröffentlicht: (1990)

Principles and analysis of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors /
von: Liou, Juin J.
Veröffentlicht: (1996)

The Energy Spectra and Heat Capacity of GaAs Gaussian Quantum Dot in an External Magnetic Field
von: Mohammad Elsaid, et al.
Veröffentlicht: (2021-06-01)

Buffer-Free GeSn with High Relaxation Degree Grown on Si(001) Substrate for Photodetection
von: Cizhe Fang, et al.
Veröffentlicht: (2018-01-01)

Получение микропористых слоев GaAs методом химического травления на подложках р-GaAs и их фотолюминесценция
von: G. A. Paschenko, et al.
Veröffentlicht: (2012-02-01)

Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
von: A. A. Maldzhy, et al.
Veröffentlicht: (2006-12-01)

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024-05-01)

Surface mechanics of GaAsP/GaAs epilayers for non-linear optical devices
von: Samuel M. Linser, et al.
Veröffentlicht: (2025-07-01)

Radiation Resistance of Epitaxial Structures Based on GaAs
von: E. N. Vigdorovich
Veröffentlicht: (2019-06-01)

Terahertz Modulation of Even-order Polarization in GaAs
von: Jianhua Sang, et al.
Veröffentlicht: (2025-01-01)

Microcavity Effect in InAs/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetector on a Si Substrate Fabricated With Metal Wafer Bonding and Epitaxial Lift-Off Techniques
von: Ho Sung Kim, et al.
Veröffentlicht: (2019-01-01)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
von: Oleg V. Devitsky, et al.
Veröffentlicht: (2022-05-01)

THERMAL MODELLING OF TERAHERTZ QUANTUM-CASCADE LASER BASED ON NANOHETEROSTRUCTURES GaAs/AlGaAs
von: I. A. Glinskiy, et al.
Veröffentlicht: (2016-06-01)

Photopolarization Effect and Photoelectric Phenomena in Layered GaAs Semiconductors
von: Shiau, Yuo-Hsien
Veröffentlicht: (2011)

Novel silicon and GaAs sensors for compact sampling calorimeters
von: H. Abramowicz, et al.
Veröffentlicht: (2025-06-01)

Wafer-scale correlated morphology and optoelectronic properties in GaAs/AlGaAs core–shell nanowires
von: Ishika Das, et al.
Veröffentlicht: (2025-06-01)

Design of an 845-nm GaAs Vertical-Cavity Silicon-Integrated Laser with an Intracavity Grating for Coupling to a SiN Waveguide Circuit
von: Sulakshna Kumari, et al.
Veröffentlicht: (2017-01-01)

Modeling of Magnetoconductivity (MC) Behavior in Dilute p-Si/SiGe/Si
von: Hamza Mabchour, et al.
Veröffentlicht: (2025-04-01)

Integrated design of GaN-on-Si power devices and drivers
von: Yan Zhangzhe, et al.
Veröffentlicht: (2025-05-01)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
von: D. A. Yatsyna, et al.
Veröffentlicht: (2019-06-01)

Determine the Lower-State Energy of (GaMn)As/GaAs Quantum Well using Localization Landscape Method
von: Mubarak H. Oglah, et al.
Veröffentlicht: (2020-12-01)

Optical Characteristics of GaAs Spherical Quantum Dots Based on Single and Double Quartic Anharmonic Potentials: The Role of Structural Parameters
von: Najah Abdullah Alashqar, et al.
Veröffentlicht: (2025-07-01)

Investigation of surface potential of GaAs surface by means of acoustoelectric effects
von: T. PUSTELNY, et al.
Veröffentlicht: (2014-05-01)

PREPARATION AND RESEARCH OF HETEROSTRUCTURES GaP / Si BY PULSED LASER DEPOSITION
von: Oleg Devitsky, et al.
Veröffentlicht: (2022-05-01)

Characterization and Computational Modeling of Flexible Freestanding GaAs‐Based Solar Cells
von: Athil S. Al‐Ezzi, et al.
Veröffentlicht: (2025-07-01)

Absolute Electroluminescence Imaging Diagnosis of GaAs Thin-Film Solar Cells
von: XiaoBo Hu, et al.
Veröffentlicht: (2017-01-01)

19~21 GHz GaAs high linearity power amplifier MMIC
von: Liu Xiaoyu, et al.
Veröffentlicht: (2025-04-01)

Electro-Optical Modulation of the Nonlinear Optical Response in a GaAs/AlGaAs Symmetric Multiple Quantum Well System
von: Carlos Alberto Dagua-Conda, et al.
Veröffentlicht: (2025-06-01)

Heterogeneously Integrated InGaAs and Si Membrane Four-Color Photodetector Arrays
von: Laxmy Menon, et al.
Veröffentlicht: (2016-01-01)

Impact of Defects on the Low-Field Electron Mobility in GaN-on-Si HEMTs
von: Ran Zhou, et al.
Veröffentlicht: (2025-01-01)

Solar Blind Photodetectors Enabled by Nanotextured β-Ga2O3 Films Grown via Oxidation of GaAs Substrates
von: Dewyani Patil-Chaudhari, et al.
Veröffentlicht: (2017-01-01)

MFe6 X4 system (M = Mg, Sc, Zr; X = Al, Si, P, Ga, Ge, in, Sn, Sb) as possible ‘gap’ magnets
von: Alena Vishina, et al.
Veröffentlicht: (2025-07-01)