Growth Rate Enhancement of Silicon-Carbide Oxidation in Thin Oxide Regime

None

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: Hijikata, Yasuto, Yaguchi, Hiroyuki, Yoshida, Sadafumi
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: IntechOpen 2011
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://www.intechopen.com/chapters/15086
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!