Identification and Kinetic Properties of the Photosensitive Impurities and Defects in High-Purity Semi-Insulating Silicon Carbide
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Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
IntechOpen
2011
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.intechopen.com/chapters/15083 |
| Tags: |
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