Transistors fundamentals for the integrated-circuit engineer

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Warner, R. M.
Other Authors: Grung, B. L.
Format: Book
Language:English
Published: New York Wiley c1983
Subjects:
Bipolar transistors
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

MARC

LEADER 00000nam a2200000 4500
001 00513067
003 PWmBRO
005 20240602100533.0
008 850913s1983 nyua a o0011 eng l
082 0 0 |a 621.3815  |b 28  |z 19 
090 0 0 |b 621.3815  |b 28/W283t 
100 1 0 |a Warner, R. M. 
245 1 0 |a Transistors  |b fundamentals for the integrated-circuit engineer  |c R.M. Warner, Jr., B.L. Grung 
260 0 0 |a New York  |b Wiley  |c c1983 
300 0 0 |a xix, 875 p.  |b ill  |c 24 cm. 
500 0 0 |a "A Wiley-Interscience publication." 
595 0 0 |a 0471092088 
650 0 0 |a Bipolar transistors 
650 0 0 |a Metal oxide semiconductor field-effect transistors 
700 1 0 |a Grung, B. L. 
942 |2 ddc 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 621_381528000000000_W283T  |7 0  |8 MN  |9 37916  |a ML015  |b ML015  |c MN  |d 2024-06-02  |l 0  |o 621.381528 W283t  |p 038142  |r 2018-03-23 00:00:00  |w 2018-03-23  |y BK 
994 |a 001038142 86149 0001  
995 0 0 |a NUNE 
999 |c 27313  |d 27313 

Similar Items